韩国首尔半导体及其子公司首尔Viosys，于2016年9月9日，在美国加州向美国零售巨头 Kmart 创议专利侵权诉讼。Kmart 是美国最大的打折零售商和全球最大的批发商之一，拥有1000多家门店，年发卖额达250亿美元。

　　该诉讼针对在 Kmart 发卖的一款 LED 灯丝灯，首尔半导体默示 Kmart 发卖的该灯丝灯加害了首尔半导体 8 项 LED 相关专利。

　　从该 LED 灯丝灯的包装或许看出，该产物来自美国 Spotlite America Corporation(出产自中国)。可是，首尔半导体没有直接告状Spotlite，而是告状终端零售商 Kmart。

　　下面来一一解析该诉讼涉及的8项专利。

　　No.1 US6942731

　　该专利由柏林工业大学于 2001 年申请，并于 2005 年获得美国发现专利授权，2012 年专利权让渡给首尔半导体。

　　该专利针对 GaN LED 外延过程中，3D发展+2D发展的工艺。

　　No.2 US7626209

　　该专利由Seoul Opto Device于 2008 年申请，并于 2009 年获得美国发现专利授权，2011 年专利权让渡给首尔半导体，2014年专利权进一步让渡给首尔Viosys。

　　该专利的权力要求为，量子阱布局中，undoped-InGaN 和 Si-doped GaN构成复合势垒层。

　　No3. US7906789

　　该专利由首尔半导体于2008年申请，并于2011年获得美国发现专利授权。

　　该专利的权力要求为，(蓝光LED+黄绿粉)和(蓝光LED+红粉)两组光夹杂实现高显色指数的白光。

　　No4. US7951626

　　该专利由Seoul Opto Device于 2009 年申请，并于 2011 年获得美国发现专利授权，2014年专利权让渡给首尔Viosys。

　　该专利的权力要求为，将GaN外延片霎蚀出倾斜侧壁的工艺方式。倾斜侧壁是出产高压芯片需要用到的。

　　No5. US7982207

　　该专利由Seoul Opto Device于 2010年申请，并于 2011 年获得美国发现专利授权，2014年专利权让渡给首尔Viosys。

　　该专利的权力要求为，P-pad 下面有电流反对层，该反对层同时有反射光线的感化，削减pad吸光。

　　No6. US8664638

　　该专利由Seoul Opto Device于 2011年申请，并于 2014年获得美国发现专利授权，2014年专利权让渡给首尔Viosys。

　　该专利的权力要求为，在Buffer层和N-GaN层之间，采用分歧的温度发展三层中心层。

　　No7. US8860331

　　该专利由首尔Viosys于 2013年申请，并于 2014年获得美国发现专利授权。

　　该专利的权力要求为，AC LED 同时激发两种荧光粉，两种荧光粉的荧光衰减时候分歧。

　　No8. US9240529

　　该专利由诺贝尔奖获得者中村修二传授等人于2014年申请，并于 2016年1月获得美国发现专利授权，今朝专利权工钱美国加州大学。

　　该专利的权力要求为，LED芯片上下双面出光，固定至封装支架上的晶莹板，从而LED芯片向下发出的光线或许该晶莹板出射。

　　精确地切中了，灯丝封装中芯片后面光线，从晶莹基板出射的要点。

　　在这项专利申请日期之前，中国企业早已投入大量研发资源进行LED灯丝封装研发，而且将产物推向了市场。可是，中国企业的专利结构缺失，而今已经陷入被动场合。

　　中村修二传授、台湾晶元光电在灯丝产物上市发卖多年之后，照旧申请到了据有焦点手艺点的专利。

　　可见，专利阐明与结构，什么时候起头都不晚，只要去做，总能获得对贸易竞争有接济的专利。